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在便携应用中采用TVS二极管进行ESD保护
142022-01
静电放电(ESD)是指两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电感应而引起的两物体间静电电荷的转移。当静电能...
分析器检测二极管的反向灰复行为
测试二极管的反向灰复特性通常需要复杂的测试设备。你必须能够建立正向传导条件、阻断状态和两者之间的转换。你还需要一...
发光二极管与普通二极管的不同之处
122022-01
发光二极管与普通二极管一样也是由PN结构成的，也具有单向导电特性，它是采用磷化嫁 (GaP)或磷砷化镓(GaAs...
测试二极管的反向恢复特性通常需要复杂的测试设备。你必须能够建立正向传导条件、阻断状态和两者之间的转换。你还需要一...
二极管的特性与应用
112022-01
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用...
用硅二极管探测激光信号
某客户需要采集硅二极管搜索激光束时输出的信号。这种典型信号所处的范围：幅度为20MV一1V，长度为0ns一15...
IGBT模块驱动及保护技术
052022-01
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等...
创新方法优化IGBT电路保护
042022-01
IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSF...
大功率IGBT中滤波电容的选择与计算
由于IGBT类电源的特殊性，于一般的电源相比其中很多器件都会有相应的改动。滤波电容就是其中一个变动较大的器件。为...
单向晶闸管的特性及其参数
312021-12
单向晶闸管的伏安特性曲线如图所示。从特性曲线上可以看出它分五个区，即反向击穿区、反向阻断区、正向阻断区、负阻区和...
可关断晶闸管的结构及工作原理的介绍
可关断晶闸管也属于PNP四层三端结构，其等效电路与普通晶闸管相同。尽管它与普通晶闸管在结构和触发导通原埋上相同，...
晶闸管损坏原因判别区分可控硅损坏原因分析判断
292021-12
当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原...
可控硅晶闸管的特点特性
晶闸管分单向晶闸管、双向晶闸管。单向晶闸管有阳极A、阴极K、把控极G三个引出脚。双向晶闸管有阳极A1（T1），第...
万用表测量区分单向双向可控硅 晶闸管
272021-12
分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。
晶闸管可控硅两端并联阻容网络的作用用途
在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
单向双向可控硅晶闸管结构原理图
242021-12
一、单向可控硅（晶闸管）结构原理：单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部把控信号作用下由关断变为导通，但一旦...
如何判别晶闸管质量好坏
晶闸管质量好坏的判别可以从四个方面进行。是三个PN结均应完好;第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通...
如何判断晶闸管烧坏的真正原因
222021-12
晶闸管属于硅元件，硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸管的现象。
晶闸管的工作原理及在大功率变频技术中的应用
晶闸管又叫可控硅（SCR）。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管，双向...
晶闸管的常见问题的分析及对策
202021-12
晶闸管是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成，它有三个极：阳极，阴极和...
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