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硅晶闸管两端并联阻容网络

发布时间:2020-12-14

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一、在可控硅晶闸管两端并联阻容网络

在实践晶闸管线路中,通常在其两边并接RC串连网络,该网络常称作RC阻容吸收线路。

我们知道,晶闸管有个关键性能参数-断态工作电压临界上升幅度dlv/dlt。它反映晶闸管在额定结温和门极断路情况下,使晶闸管从断态转到通态的蕞低工作电压上升幅度。若工作电压上升幅度过大,超出了晶闸管的工作电压上升幅度的值,则会在无门极讯号的情况下开通。即便此时加于晶闸管的正向工作电压低于其阳极峰值工作电压,也将会发生这个情况。因为晶闸管可看成是由3个PN结构成。
1.jpg
在晶闸管处在阻断模式下,因各层相距很近,其J2结结面等同于1个电容器C0。当晶闸管阳极工作电压变化时,便会出现充电电流流经电容器C0,并借助J3结,这个电流量起了门极激发电流量功能。倘若晶闸管在关断时,阳极工作电压上升速率太快,则C0的充电电流越大,就会有可能导致门极在没有激发讯号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。所以,对加至晶闸管上的阳极工作电压上升幅度需有一定的限制。

为了限制线路工作电压上升幅度过大,保证晶闸管安全可靠运作,通常晶闸管两边并接RC阻容吸收网络,借助电容器两端电压不会突变的性能来限制工作电压上升幅度。因为线路经常存有电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容器C串联电阻R可起阻尼作用,它可防止R、L、C线路在过渡过程中,因振荡在电容器两边发生的过电压破坏晶闸管。另外,防止电容器通过晶闸管放电电流量过大,导致过电流量而破坏晶闸管。

因为晶闸管过流过压能力很差,如果不实行可靠的安全措施是不会正常工作的。RC阻容吸收网络便是常见的防护办法之一。
2.jpg
二、整流晶闸管阻容吸收元器件的选取

电容的选择:

C=(2.5-5)×10的负8次方×If

If=0.367Id

Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管

可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF

选用2.5μF,1kv的电容器

电阻的选择:

R=((2-4)×535)/If=2.14-8.56

选择10欧

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2

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