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新型超Fn性能提高了IGBT器件制造中合金退火工艺的性能

发布时间:2020-12-29

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新型超Fn性能提高了IGBT器件制造中合金退火工艺的性能
 
美国加州FREMONT 12月17日消息(全球新闻通讯)——ACM研究公司(ACM)是半导体和先进晶圆级封装应用的晶圆处理解决方案的**供应商,该公司近日推出了其超Fn炉工具的合金退火能力,将其炉产品线延伸至功率设备制造商。随着晶体管变得更薄、更小和更快,这些新功能对于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件不断增长的生产要求至关重要。
根据行业研究公司Mordor Intelligence的数据,“2019年IGBT市场价值为54亿美元,预计到2025年将达到93.8亿美元,预测期(2020-2025年)复合年增长率为9.66%。IGBT**的应用范围吸引了几家新公司进入市场。IGBT**/修改了几种现代电器中的电能,如炊具、微波炉、电动汽车、火车、变频驱动器(VFD)、变速冰箱、空调、灯镇流器、市政电力传输系统和立体声系统,这些设备都配备了开关放大器。
除了终端市场的快速增长外,随着芯片技术的日益先进,对IGBT的制造要求也在不断提高。**的IGBT应用,特别是电动汽车,需要更快的开关能力、更高的功率效率和更高的功率密度。
“**的IGBT设备必须比以前更小,更快,更薄,”ACM研究的首席执行官David Wang说,
“ACM在今年早些时候凭借我们的薄型晶圆背面清洁系统进入了这一产品类别。我们已经建立在我们的经验和对功率器件制造的理解,以增加合金退火能力的超Fn。这将我们的熔炉产品从铸造客户扩展到现在的动力设备客户。”
具有合金退火能力的超Fn炉具是定制化的,可在保护惰性气体、还原气体或低至微托的高真空条件下进行退火工艺。特殊的晶圆处理系统、工艺管、工艺船等设计,可适用于薄晶圆、太晶圆。该系统旨在批量处理多达100个12英寸(300mm)晶圆。超Fn系统的应用还可以扩展到低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,用于SIN、HTO、未掺杂聚和掺杂聚沉积、栅极氧化物沉积工艺、高达1200°C的超高温工艺和原子层沉积(ALD)。
上海萱鸿电子有限公司长期备有各种主流品牌IGBT器件,欢迎有这方面需要者来电洽谈联系。

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